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訪問SDRAM的低功耗優(yōu)化設(shè)計方案
為了降低DSP外部SDRAM存儲系統(tǒng)的功耗,針對DSP訪問片外SDRAM的功耗來源特點,提出了基于總線利用率動態(tài)監(jiān)測的讀寫歸并方案。該方案動態(tài)監(jiān)測外
2020-12-01
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SRAM的容量擴展
通常微處理器的數(shù)據(jù)總線為8位和16位或32位，而地址總線為16位或24位不等。當(dāng)靜態(tài)RAM的地址線和數(shù)據(jù)線不能與微機相匹配時，可用地址線擴展和
2020-11-30
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SDRAM功耗來源
在現(xiàn)代的通信及基于FPGA的圖像數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)中,經(jīng)常要用到大容量和高速度的存儲器。SDRAM有一個同步接口，在響應(yīng)控制輸入前會等待一個時鐘信
2020-11-27
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如何使FRAM MCU速度更快所需功耗最低
采用FRAM的MCU為何就能具有諸多優(yōu)勢呢?舉例說明:TI做了一個實驗，如果要寫13Kbps的數(shù)據(jù)到DRAM里需要花1秒時間，大約要用2200uA的功耗去做寫
2020-11-26
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Nand Flash結(jié)構(gòu)及錯誤機制
Nand Flash是一種非易失性存儲器,具有讀寫速度快 功耗低 存儲密度高等優(yōu)點,目前被廣泛應(yīng)用于電子產(chǎn)品中,如固態(tài)硬盤( SSD)、手機、數(shù)碼相
2020-11-25
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提升SRAM性能的傳統(tǒng)方法
隨著諸如醫(yī)療電子和無線傳感節(jié)點等應(yīng)用的興起,低功耗芯片受到了越來越廣泛的關(guān)注 這類芯片對性能和功耗要求苛刻 靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)作為
2020-11-24
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