影音先锋女人Aa鲁色资源,亚洲精品一区二三区不卡,被猛男狂cao的小男生,在线观看成人网站
產品中心
靜態(tài)隨機SRAM
低功耗LPSRAM
Serial RAM
異步快速Async Fast
國產SRAM芯片
偽靜態(tài)隨機pSRAM
Parrallel pSRAM
SPI pSRAM
磁性非易失MRAM
Serial MRAM
Parellel MRAM
xSPI STT-MRAM
Quad Serial MRAM
DDR3/DDR4 ST-MRAM
鐵電存儲器FeRAM
FeRAM
非易失性NV-SRAM
Cypress
VTI
同步動態(tài)SDRAM
SDR SDRAM
DDR1 SDRAM
DDR2 SDRAM
DDR3 SDRAM
Mobile SDRAM
內存Flash
Nand Flash
EEPROM
SPI NAND Flash
SPI Nor Flash
多制層芯片MCP
Nand MCP
eMCP
Microcontroller
定制單片機MCU
32位單片機MCU
案例&資訊
行業(yè)案例
資訊動態(tài)
關于我們
關于宇芯
組織架構圖
聯系我們
聯系我們
郵箱：
sales@wridy.com
首頁
網站地圖
EN
案例&資訊
行業(yè)案例
>
資訊動態(tài)
>
案例&資訊
主頁 > 案例&資訊
NAND FLASH系統(tǒng)的權衡利弊
NAND FLASH是一種大眾化的非易失性存儲器，主要是因為小型和低功耗且堅固耐用。盡管此技術適合現代存儲，但在將其列入較大系統(tǒng)的一部分時
2020-12-09
查看詳情 >
易失性存儲DRAM詳解
DRAM是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來代表一個二進制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢在于結構簡單,每
2020-12-08
查看詳情 >
2020年第三季Nand Flash營收僅微幅上升0.3%
根據集邦咨詢旗下半導體研究處表示，第三季Nand Flash產業(yè)營收達145億美元，季增0 3%，其中位元出貨季增9%，平均銷售單價則季減9%。
2020-12-07
查看詳情 >
非易失性Flash詳解
Flash(快閃或閃存)由Intel公司于1988年首先推出的是一種可用電快速擦除和編程的非易失性存儲器，其快速是相對于EEPROM而言的。Flash從芯片
2020-12-04
查看詳情 >
易失性存儲器SRAM基礎知識
存儲器概況存儲器是計算機系統(tǒng)中的記憶設備，主要是用來存放程序和數據。存儲器按存儲特性可分為非易失和易失兩大類。目前常見的多為半導體
2020-12-03
查看詳情 >
嵌入式STT-MRAM效應與流致反轉
最初的MRAM都是用微電磁線圈產生電磁場，使自由層的磁矩方向反轉來進行0、1數據的讀寫。這種復雜的結構大大地制約了MRAM存貯單元的微型化進程，因此當時MRAM的存貯密度遠遠不及DRAM和SRAM。
2020-12-02
查看詳情 >
938條
上一頁
1
..
78
79
80
81
82
83
84
85
86
..
157
下一頁
友情鏈接
大型鹽霧試驗箱廠家
拉力計
氮化鎵芯片
智慧工業(yè)園
官方微博
阿里巴巴
微信公眾號
宇芯有限公司Wridy company limited
產品中心
靜態(tài)隨機SRAM
偽靜態(tài)隨機pSRAM
磁性非易失MRAM
鐵電存儲器FeRAM
非易失性NV-SRAM
同步動態(tài)SDRAM
內存Flash
多制層芯片MCP
Microcontroller
案例&資訊
行業(yè)案例
資訊動態(tài)
關于我們
關于宇芯
組織架構圖
聯系我們
聯系我們
在線客服
2207232297
聯系電話
18926554009
