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每秒54Mb速度傳輸數(shù)據(jù)的富士通FRAM
富士通FRAM MB85RQ4ML是采用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲單元的FRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲器）芯片，配置為524,28個8字X 8位。
2020-04-13
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Everspin MRAM磁場抗擾度
Everspin Technologies，Inc 是設(shè)計，制造和商業(yè)銷售分立和嵌入式MRAM存儲器到市場和應(yīng)用程序的全球領(lǐng)導(dǎo)者，在這些市場和應(yīng)用程序中，數(shù)據(jù)
2020-04-09
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選擇MRAM的理由
MRAM具有成為通用存儲器的潛力-能夠?qū)⒋鎯Υ鎯ζ鞯拿芏扰cSRAM的速度結(jié)合在一起，同時始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射，可以
2020-04-07
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兆易創(chuàng)新MCU GD32F3系列詳情
GD32F3系列最高主頻可達(dá)120MHz并支持DSP指令運(yùn)算。配備了128KB到3072KB的超大容量Flash及48KB到96KB的SRAM，內(nèi)核訪問閃存高速零等待。
2020-04-02
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三星成首家在DRAM生產(chǎn)采用EUV技術(shù)的存儲器供應(yīng)商
韓國三星電子于25已經(jīng)成功出貨100萬個極紫外光刻技術(shù)（EUV）生產(chǎn)的業(yè)界首款10納米級DDR4 DRAM模組，將為高端PC和移動設(shè)備及企業(yè)服務(wù)器和資
2020-03-31
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靈動微MM32W073NTB防疫血氧儀應(yīng)用解決方案
靈動微電子是國內(nèi)具有一定名氣的MCU產(chǎn)品與應(yīng)用方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，目前基于ARM Cortex-M0及Cortex-M3 內(nèi)核的MCU產(chǎn)品包括了針對通用高性能
2020-03-27
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