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新興記憶存儲MRAM保持精度并降低功耗
MRAM可以自然而然地在低電壓電平下引入誤碼率，從而在保持精度的同時進一步降低了功耗要求。關(guān)鍵在于確定最低電壓和最短時間的最佳精度。這轉(zhuǎn)化為最高的能源效率。
2020-09-29
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實例說明寫入FRAM的零時鐘周期延遲的影響
一個典型的EEPROM需要5毫秒的寫周期時間，以將其頁面數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到非易失性EEPROM內(nèi)。當需要寫入幾千字節(jié)的數(shù)據(jù)時，會導致寫入時間較長。相比之下的FRAM不會使這種寫操作變慢;
2020-09-27
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高耐久性Cypress FRAM電池管理應用
電池管理系統(tǒng)(BMS）是一個電子控制系統(tǒng)，它監(jiān)控并控制著電動和混合動力汽車的電池系統(tǒng)。該單元的主要功能是保護每塊電池免受損壞，延長它們
2020-09-24
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高速性低功耗SRAM應用于物聯(lián)網(wǎng)
在過去的幾十年中，SRAM領(lǐng)域已劃分為兩個不同的產(chǎn)品系列-快速和低功耗，每個產(chǎn)品都有自己的功能，應用程序和價格。使用SRAM的設(shè)備需要它的
2020-09-22
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非易失性存儲器MRAM技術(shù)介紹
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。所謂非易失性是指掉電后﹐仍可以保持存儲內(nèi)容完整,此功能與Flash閃存相同;而隨機存取是指處理器讀取
2020-09-18
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基于SRAM的方法可加速AI推理
這個設(shè)計使用戶可以為從權(quán)重到神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)層甚至單個神經(jīng)元的所有內(nèi)容創(chuàng)建自定義參數(shù)。這種靈活性可以使將來設(shè)計用于訓練處理器的設(shè)計成為可能。
2020-09-16
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