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SRAM兩大問題挑戰(zhàn)
SRAM是可在任何CMOS工藝中免費獲得的存儲器。自CMOS誕生以來，SRAM一直是任何新CMOS工藝的開發(fā)和生產制造的技術驅動力。利用最新的所謂的深
2020-07-27
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DDR5 SDRAM規(guī)格發(fā)布：大容量滿足極速
半導體工程組織JEDEC為動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）設定了標準，該組織上周發(fā)布了最終的JESD79-5DDR5規(guī)范。新型存儲器是其每引腳數據傳輸速
2020-07-24
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FRAM的未來是更高的密度
最近出現的許多內存問題都以3D Xpoint的形式出現在ReRAM，MRAM和PCRAM上。但是鐵電RAM（FRAM）在小型利基設備中得到了成功。去年對新興內
2020-07-23
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雙端口SRAM中讀干擾問題
從存儲單元來看，雙端口SRAM只是在單端口SRAM的基礎上加上了兩個存取管（見圖1），但要實現兩個端口對存儲單元的獨立讀寫，還要對新增的端
2020-07-22
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ISSI代理低功耗SRAM芯片IS62WV102416DALL
ISSI IS62WV102416DALL，IS62WV102416DBLL是超低功耗CMOS16Mbit靜態(tài)RAM，組織為1M字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術制造的。這種高
2020-07-21
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國產MCU幫助汽車電子化發(fā)展
IoT物聯(lián)網生態(tài)的逐步成熟和汽車的電子智能化，并且成為了MCU發(fā)展的雙擎。以這兩種應用為核心，結合5G和人工智能等新技術，單片機正迅速滲透
2020-07-20
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