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MRAM實現(xiàn)對車載MCU中嵌入式存儲器的取代
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲器的優(yōu)點，同時在性能方面又超過了現(xiàn)有幾乎所有的存儲器，因此有可能會贏得巨大的市
2021-01-22
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?彌補現(xiàn)有MRAM的不足
對于長期處于困境的MRAM行業(yè)來說，自旋注人方式可以說是一項能夠扭轉(zhuǎn)危機的革新技術(shù)。MRAM轟轟烈烈地問世。但此后，MRAM在工藝發(fā)展和大容量
2021-01-21
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將賽普拉斯nvSRAM替換為MRAM
本章節(jié)對賽普拉斯 4 Mbit（256K x 16）nvSRAM 和 MRAM器件分別在 44 引腳 TSOP-II（薄小外型封裝-II 類型）和 48球型焊盤 FBGA
2021-01-20
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PSRAM在數(shù)據(jù)緩沖應(yīng)用中可以取代SRAM或SDRAM
PSRAM它具有類SRAM的接口協(xié)議：給出地址、讀、寫命令，就可以實現(xiàn)存取，不像DRAM需要memory controller來控制內(nèi)存單元定期數(shù)據(jù)刷新，因此
2021-01-19
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?ISSI代理stm32擴展sram芯片IS62WV51216EBLL
IS62WV51216EBLL是高速8M位sram，組織為512K字乘16位。它采用的高性能CMOS技術(shù)制造。這種高度可靠的工藝加上創(chuàng)新的電路設(shè)計技術(shù)，可生產(chǎn)出
2021-01-15
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?Everspin MRAM常見問題解答
Everspin Technologies，Inc是設(shè)計制造MRAM和STT-MRAM的全球領(lǐng)導(dǎo)者其市場和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。Eve
2021-01-14
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