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超低功耗ST-MRAM內(nèi)存架構(gòu)
目前有研究人員開發(fā)了一種新的超低功耗ST-MRAM架構(gòu)，稱為Super Lattice ST-MRAM或SL-ST-MRAM。研究人員說，SL-ST-MARM同時實現(xiàn)了超高MR比，高速開關(guān)和低RA。
2020-03-26
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意法半導體MCU將IoT功能提升新高度
智慧城市提供的服務(wù)越來越多，而用于收費的服務(wù)也逐漸增多。隨著城市物聯(lián)網(wǎng)(IoT)基礎(chǔ)設(shè)施不斷擴展，當?shù)仄髽I(yè)自然而然地也開始加以利用。在
2020-03-25
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FLASH擦寫壽命流程
由于硬件成本原因，在許多嵌入式處理器中并沒有集成EEPROM 模塊，通常我們可以采用在片內(nèi)Flash 存儲器中保存非易失性數(shù)據(jù)的應(yīng)用方式來達
2020-03-24
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帶ECC的CMOS汽車異步SRAM
ISSI IS61 64WV5128EDBLL是高速，4,194,304位靜態(tài)RAM，組織為524,288字乘8位，采用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造，這種高度可靠的工藝與創(chuàng)新的電路設(shè)計技術(shù)相結(jié)合，可提供高性能和高性能低功耗設(shè)備。
2020-03-23
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NAND Flash供不應(yīng)求
根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心最新調(diào)查，2019年第四季度的NAND Flash銷售總量季增近10%，市場開始出現(xiàn)逐漸供不應(yīng)求。研究中心認為內(nèi)存芯片市
2020-03-20
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QDR與DDR SRAM
由賽普拉斯、瑞薩、IDT、NEC和三星公司組成的QDR協(xié)會開發(fā)出了QDR SRAM，旨在通過把性能提升為原先的4倍來滿足那些不僅需要標準ZBT(零總線
2020-03-19
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